4F² D램이란 — 셀 면적 33% 줄이는 수직 트랜지스터, 중국 CXMT 발표에 SK하이닉스 3.4% 빠졌다

4F² DRAM is a memory cell layout that fits one bit into an area of 4F² (two feature sizes by two), versus the 6F² layout used in today's mainstream DRAM, cutting cell area by about a third. It requires a vertical transistor whose channel stands upright with the gate wrapped around it. Samsung and SK hynix have both laid out 4F² roadmaps. On October 12, 2026, Samsung Electronics fell 3.6% and SK hynix 3.4% after China's CXMT said at a Shanghai event that it made key progress on a 4F² cell using a vertical surrounding-gate transistor and plans DDR5 server modules by the end of 2026; specifications, yields and volumes were not disclosed.

2026.10.13 06:00 출처 6건 대조

4F² D램은 메모리 한 칸(셀)을 '최소 선폭(F)의 2배 × 2배' 넓이, 즉 4F²에 담는 설계다. 지금 주류 D램은 6F² 구조라서 4F²로 바꾸면 셀 면적이 이론상 약 33% 줄어 같은 웨이퍼에서 더 많은 용량을 만들 수 있다. 이를 위해 트랜지스터를 눕히지 않고 세워서, 세로로 선 채널을 게이트가 감싸는 '수직 트랜지스터'가 필요하다. 삼성전자·SK하이닉스 모두 이 구조를 개발 중인데, 중국 창신메모리(CXMT)가 2026년 10월 둘째 주말 상하이 행사에서 4F² 셀에 '핵심 진전'을 이뤘고 이 기술로 만든 서버용 DDR5 모듈을 2026년 말까지 내놓겠다고 밝혔다. 10월 12일 삼성전자는 3.6%, SK하이닉스는 3.4% 내렸다. 사양·수율·생산량은 공개되지 않았다

3줄 요약

정의 — 셀 하나를 4F²(선폭 2×2) 넓이에 담는 D램 설계. 주류 6F² 대비 셀 면적 약 33% 감소, 수직 트랜지스터 필요

경쟁 — SK하이닉스 2025년 4F² 로드맵 공개, 삼성은 2028년 10나노 이하 양산 목표 보도. 중국 CXMT가 2026년 말 서버용 DDR5 출시 예고

시장 반응 — 2026년 10월 12일 삼성전자 -3.6%, SK하이닉스 -3.4%, 마이크론 약 -4%. 사양·수율·출하량은 미공개

핵심 질문

4F2 D램이란

**셀 하나를 4F² 넓이에 넣는 D램 구조다. 지금 쓰는 6F²보다 셀이 약 3분의 1 작다.** | 구분 | 6F²(현재 주류) | 4F²(차세대) | |---|---|---| | 셀 넓이 | 가로 3F × 세로 2F | 가로 2F × 세로 2F | | 트랜지스터 | 눕혀서 만든 구조(새들 핀) | 세워서 만든 수직 구조 | | 면적 | 기준 | 약 33% 감소 | | 난이도 | 양산 중 | 수직 트랜지스터 제조가 어렵다 |

CXMT 4F2 발표 내용

**CXMT는 수직 게이트 트랜지스터로 4F² 셀에 진전을 이뤘고, 2026년 말까지 서버용 DDR5 모듈을 내겠다고 했다.** | 항목 | 내용 | |---|---| | 발표자 | 차오칸위 CXMT 총재 | | 장소·시점 | 상하이 업계 행사, 2026년 10월 10~11일 주말 | | 기술 | 수직 서라운딩 게이트 트랜지스터, 누설 전류 해결 | | 제품 | 서버용 DDR5 RDIMM | | 일정 | 2026년 말까지 | | 미공개 | 상세 사양·출시일·수율·생산량 |

CXMT 발표 SK하이닉스 주가

**2026년 10월 12일 한국·미국 메모리주가 함께 내렸다.** | 종목 | 하락폭 | 종가·가격 | |---|---|---| | 삼성전자 | -3.6% | 252,500원 | | SK하이닉스 | -3.4% | 1,624,000원 | | CXMT(중국 상장) | -3.1% | 49.42위안 | | 마이크론(미국) | 약 -4% | 984.28달러 | | 웨스턴디지털 | 약 -2% | 389.04달러 |

D램 경쟁의 다음 승부처는 '선폭'이 아니라 '셀 모양'이다. 반도체는 오랫동안 회로 선폭을 줄여 더 많은 칸을 담아 왔다. 그런데 D램 선폭이 10나노대 초반에 이르면서 더 줄이기가 매우 어려워졌다. 그래서 같은 선폭에서도 칸 하나가 차지하는 넓이를 줄이는 방법 — 셀을 6F²에서 4F²로 바꾸는 것 — 이 다음 단계로 떠올랐다.

이 기술이 2026년 10월 12일 한국 증시를 흔들었다. 중국 창신메모리(CXMT)가 4F² 셀에 진전을 이뤘다고 밝히자 삼성전자가 3.6%, SK하이닉스가 3.4% 내렸다.

1. 4F²는 무슨 뜻인가

용어	뜻
F	그 공정에서 그릴 수 있는 최소 선폭(feature size)
6F²	셀 하나가 3F × 2F 넓이를 차지 — 2000년대 후반부터 주류
4F²	셀 하나가 2F × 2F 넓이 — 이론상 가장 촘촘한 배치
차이	같은 선폭에서 셀 면적 약 33% 감소
실제 칩	주변 회로가 있어 다이 면적은 약 30% 감소(삼성 개발 보도)

D램 셀은 전하를 담는 축전기(커패시터)와 이를 여닫는 트랜지스터 하나로 이뤄진다. 지금 6F² 구조에서는 트랜지스터를 바닥에 눕혀 만든다. 4F²로 줄이려면 트랜지스터가 차지하는 바닥 면적을 없애야 하고, 그래서 트랜지스터를 세운다. 채널(전류가 흐르는 길)을 세로 기둥으로 세우고 게이트(스위치)가 그 기둥을 감싸는 방식이다. 업계에서는 이를 수직 채널 트랜지스터(VCT), SK하이닉스는 수직 게이트(VG), CXMT는 수직 서라운딩 게이트라고 부른다.

2. 누가 어디까지 왔나

회사	공개된 내용	일정
SK하이닉스	2025년 VLSI 학회에서 4F² 수직 게이트와 3D D램을 10나노 이하 기술에 적용하는 로드맵 발표. 회로를 셀 아래에 붙이는 웨이퍼 본딩 결합	구체 양산 시점 미공개
삼성전자	4F² 개발 전담팀 구성 보도. 약 10년 전 상용화를 시도했다가 실패한 이력	2028년 10나노 이하 양산 목표 보도
CXMT	수직 서라운딩 게이트로 4F² '핵심 진전', 누설 전류 문제 해결 주장	2026년 말까지 서버용 DDR5 RDIMM
마이크론	이번 보도에서 구체 일정 언급 없음	—

CXMT 일정이 한국 업체들보다 빠르게 들리는 것이 시장을 놀라게 했다. 다만 CXMT는 상세 사양·구체 출시일을 밝히지 않았고, 업계 분석가들은 공급 능력과 고객 인증(퀄 테스트)의 벽을 지적했다. 서버 메모리는 고객이 몇 달씩 검증한 뒤에야 대량 구매하므로 '발표'와 '출하'와 '대량 공급' 사이에 큰 간격이 있다.

3. 왜 주가가 빠졌나 — 서버 메모리라서

시장이 본 것	설명
겨냥한 시장	서버용 DDR5 — 메모리 가격 결정력이 가장 강한 영역
메모리 호황	마이크론 직전 분기 조정 매출총이익률 87%(1년 전 45.7%)
공급 부족	마이크론 CEO "2027·2028년에도 수요가 공급을 넘는다"
걱정	호황기 신규 진입자가 사이클을 꺾은 전례
반론	아직 목표 일정일 뿐, AI 수요가 생산량을 다 흡수 중

10월 12일 한국 증시에서 삼성전자는 252,500원(-3.6%), SK하이닉스는 1,624,000원(-3.4%)까지 내렸고, 같은 날 미국 마이크론은 약 4% 빠져 984.28달러 부근에서 거래됐다. CXMT 자신도 중국 증시에서 3.1% 내렸다. 메모리 가격이 왜 이렇게 올랐는지는 「메모리 슈퍼사이클이란」, 중국 메모리의 추격 흐름은 「삼성전자·SK하이닉스 4% 하락 (9월 2일) — 유가·금리에 중국 HBM3E까지 겹쳤다」에서 다뤘다. 수출은 기록 행진 중이지만(「10월 초 수출 102% 늘어난 이유」) 주가가 엇갈리는 이유 중 하나가 바로 이 '다음 사이클' 걱정이다.

4. 자주 묻는 질문

질문	답
4F²와 3D D램은 같은가	다르다. 4F²는 셀을 평면에서 촘촘히, 3D D램은 셀을 위로 여러 층 쌓는다. 4F²가 3D D램으로 가는 중간 단계로 꼽힌다
HBM과 관계있나	HBM은 D램 칩을 쌓은 묶음이다. 칩 하나가 촘촘해지면 HBM 한 묶음 용량도 커진다
낸드도 이런 구조인가	낸드는 이미 셀을 수백 층 쌓는 3D 구조로 바뀌었다. D램은 축전기 때문에 쌓기가 더 어렵다
일반 PC 메모리는 언제 바뀌나	첫 적용은 서버용이 유력하다. 소비자 제품 일정은 어느 회사도 밝히지 않았다

5. 남은 것과 확인되지 않은 것

CXMT 실물: 2026년 말 서버용 DDR5가 실제로 출하되는지, 수율과 수량은 얼마인지가 다음 확인 지점이다.
한국 업체 일정: 삼성전자의 2028년 목표는 보도 수준이며 SK하이닉스는 양산 시점을 밝히지 않았다.
수출 통제: 미국의 대중 반도체 장비 통제(「AI 반도체 수출통제란」)가 CXMT의 4F² 양산 장비 확보에 어떤 영향을 주는지는 이번 발표에서 언급되지 않았다.
종가 기준: 국내 두 종목의 하락률은 기사 작성 시점 기준이며 종가 하락률은 다를 수 있다.

검증

발행

2026년 10월 13일 06:00

최종 수정

수정 없음

교차 확인

서로 다른 출처 6건을 대조했다.

미검증

CXMT의 4F² 제품 사양·수율·출하량·정확한 출시일은 공개되지 않았다. 2026년 말은 목표 일정이다.
삼성전자의 '2028년 10나노 이하 4F² 양산 목표'는 인베스팅닷컴의 보도 표현('reportedly')이며 회사 공식 일정이 아니다.
셀 면적 33% 감소는 6F²→4F² 이론 계산이다. 실제 칩 면적 감소는 주변 회로 때문에 더 작다(삼성 개발 보도는 다이 면적 약 30% 감소).
삼성전자·SK하이닉스 하락률은 인베스팅닷컴 기사 작성 시점 기준이며 종가 기준 하락률은 다를 수 있다.

작성

발행 전 사람이 검수했다. 수집·교차확인·재작성 절차는 편집 원칙.